Rayson晶存代理商 LPDDR4/4X RS1G32LO4D2BDS-46IT

本数据表适用于LPDDR4X和LPDDR4
基于LPDDR4X信息的统一产品。关于LPDDR4设置，请参阅通用LPDDR4
本数据表末尾的规范。•超低电压核心和I/O电源
-VDD1=1.70-1.95V；标称电压1.80V-VDD2=1.06-1.17V；1.10V标称电压-VDDQ=0.57-0.65V；标称0.60V
或VDDQ=1.06-1.17V；1.10V标称•频率范围
-2133-10 MHz（每个引脚的数据速率范围：4226-20
Mb/s）•16 n预取DDR体系结构
•每个通道8个内部银行，用于并发
活动
•单一数据速率CMD/ADR输入
•每个字节的双向/差分数据选通
小路
•可编程读取和写入延迟（RL
/WL）•可编程和动态突发长度（BL=
16，32）•针对并发银行的按银行定向刷新
操作性和易于指挥的调度
•每个裸片高达8.53 GB/s x16通道•用于控制自我刷新的片上温度传感器
速度
•部分阵列自刷新（PASR）•可选输出驱动强度（DS）•时钟停止功能
•符合RoHS，“绿色”包装
•可编程VSS（ODT）终端
•单端CK和DQS支持
选项标记
•VDD1/VDD2/VDDQ:1.80V/1.10V/0.60V或B
1.10伏
•阵列配置
-512Meg x 32（2个通道x 16个I/O）512M32
-1 Gig x 32（2通道x 16 I/O）1G32
•设备配置
-封装D1中的512M32 x 1芯片
-封装D2中的512M32 x 2裸片
•FBGA“绿色”包装
-200球FBGA（10mm x14.5mm DS
座椅高度：最大1.1mm）•速度等级、循环时间
-在RL=36/40-46时为468ps
•工作温度范围
--40°C至+95°C IT
•储存温度范围
--55°C至+125°C

晶存代理商，还有更多存储芯片介绍《RS768M32LB4D2BDS-53BT》《RS512M32LE4D2BNR-62BT》。