达林顿管（Darlington Transistor）是一种特殊的双极型晶体管（BJT）配置，由两个晶体管级联组成，其中一个晶体管的发射极连接到另一个晶体管的基极，从而实现高电流增益。这种结构通常用于需要高电流增益和高输入阻抗的场合，如开关电路和放大器。

工作原理：

在达林顿管中，第一个晶体管的发射极电流（IE1）作为第二个晶体管的基极电流（IB2），而两个晶体管的集电极则连接在一起。因此，第一个晶体管放大的电流会进一步被第二个晶体管放大。总的电流增益是两个晶体管电流增益的乘积，通常非常高，可以达到1000或更高。

结构：

达林顿管可以由两个独立的晶体管构成，也可以是单片集成电路。它们通常有三种引脚：基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。这种结构的基极-发射极电压是两个晶体管的基极-发射极电压之和，因此通常会比单个晶体管的基极-发射极电压高。

应用：

达林顿管因其高电流增益和高输入阻抗的特性，在多种应用中都非常有用，包括：

• 电源稳压器

• 音频放大器输出级

• 电机控制

• 显示驱动器

• 电磁铁控制

• 光电和触摸传感器

优点：

• 高电流增益：达林顿管的电流增益可以非常高，使得只需很小的基极电流就能控制较大的负载电流。

• 高输入阻抗：提供了非常高的输入阻抗，有利于信号的传输。

• 低输出阻抗：有助于减小负载对电路性能的影响。

缺点：

• 响应速度慢：由于内部结构复杂，达林顿管的响应速度通常比单个晶体管慢。

• 功耗大：在工作过程中会产生较大的功耗，可能需要额外的散热措施。

• 成本较高：制造成本相对较高，市场价格也相应较高。