我们都在说的随机存取储存器都有什么分类呢？

SRAM

        静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。SRAM主要用于缓存。当电力供应停止时，SRAM存储器储存的数据还是会消失，因此SRAM存储器也称为易失性存储器，这跟在断电后还能储存数据的ROM存储器或FLASH闪存是不同的。SRAM存储器具有较高的性能,被广泛应用于在高端产品，如医疗设备，金融设备，工控产品等多行业产品。

DRAM

        动态随机存取存储器是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

FPM DRAM

        快速页模式动态随机存取存储器是早的一种DRAM。FPM DRAM是从早期的Page Mode DRAM上改良过来的，当它在读取同一列数据是，可以连续传输行位址，不需要再传输列位址，可读出多笔资料，这种方法当时是很先进的，不过现在看来很没效率。FPM DRAM有30pin SIMM和72pin SIMM两种，前者常见于286、386和486的电脑上，后者则常见于486与早期型的奔腾电脑上，30pin的常见容量是256KB，72pin的容量从512KB到2MB都有。

EDO DRAM

        扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，EDO DRAM开始为下一位数据寻址。它比FPM快5%左右。向二级缓存的传输速率约为264MB每秒。

SDRAM

         同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。这种模式在读取数据时首先锁定一个记忆行，然后迅速扫过各记忆列，与此同时读取列上的位元数据。之所以有这种设计思想，是因为多数时候CPU请求的数据在内存中的位置是相邻的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成为当今台式机内存中应用最广的一种。向二级缓存的最高传输速率约为528MB 每秒。

DDR SDRAM

        双倍速率同步动态RAM与SDRAM相似，但带宽更高，即速度更快。向二级缓存的最高传输速率约为1064MB每秒。（133兆赫兹DDR SDRAM）。

我们都在说的随机存取储存器的分类以上内容知识希望能帮到你，还有其他芯片知识分享《nuvoton新唐ARM Cortex-M单片机的Nu-Link-Pro仿真器和Nu-Link仿真器的区别》《DDR的关键技术解析》