妙存ATL4B0832M22晶存RS256M32LZ4D1ANP-75BT停产了，RS256M32LZ4D2BNP-62BT替代

妙存ATL4B0832M22 和 晶存RS256M32LZ4D1ANP-75BT 停产了，晶存RS256M32LZ4D2BNP-62BT替代 

LPDDR4 SDRAM RS256M32LZ4D1ANP-75BT 参数

•超低电压核心和I/O电源
–V DD1=1.70–1.95V；1.8V标称
–V DD2/VDDQ=1.06–1.17V；1.10V标称
•频率范围
–1600–10 MHz（数据速率范围：3200–20 Mb/s/引脚）
•16n预取DDR体系结构
•用于低RD/WR的2通道分区架构
能量和低平均延迟
•每个通道8个内部银行，用于并行操作-tion
•单一数据速率CMD/ADR输入
•每个字节通道的双向/差分数据选通
•可编程读取和写入延迟（RL/WL）
•可编程和动态突发长度（BL=16、32）
•针对并发银行操作的按银行定向刷新-操作和易于指挥调度
•每个裸片高达12.8 GB/s（2个通道x 6.4 GB/s）
•片上温度传感器，用于控制自我刷新速度
•部分阵列自刷新（PASR）
•可选输出驱动强度（DS）
•时钟停止功能
•符合RoHS，“绿色”包装
•可编程V SSQ（ODT）终端
选项
•VDD1/VDD2:1.8V/1.1
•阵列配置
–256 Meg x 32（2通道x16 I/O）
–512 Meg x 32（2通道x16 I/O）
–1024 Meg x 32（2通道x8 I/O x 2）
•设备配置
–256M16 x 2通道x 1模具
–256M16 x 2通道x 2模具
–512M8 x 2通道x 4模具
•FBGA“绿色”包装
–200球WFBGA（10mm x 14.5mm x0.80mm）
–200球VFBGA（10毫米x 14.5毫米x0.95毫米）
•速度等级、循环时间
–625ps@RL=28/32（x16设备）
–625ps@RL=32/36（x8设备）
–755ps@RL=24/28（x16设备）
–755ps@RL=28/32（x8设备）
•工作温度范围
–-25°C至+85°C

欢迎咨询，我们是晶存妙存代理商，可解答替代型号，帮助更好更快捷选型号，还有更多晶存妙存存储IC分享《妙存eMMC》《晶存妙存LPDDR4/4X》。