W971GG6SB 64Mx16 DDR2 WBGA84 规格参数 华邦现货库存

华邦W971GG6SB-25参数规格介绍，8M 8BANKS 16BIT DDR2 SDRAM，W971GG6SBI是一个1Gbit SDDR2 SDRAM，由8388608words组成8银行16位。该设备可实现高达1066Mb/sec/pin（DDR2-1066）的高速传输速率，适用于各种应用。W971GG6SBI分为以下等级：-18、18I、18J、-25、25N、25I、25Jand-3。

-18、18I和18J级零件符合DDR2-1066（6-6-6）规格（18I工业级，保证支持DDR2-40）°C≤ t酶≤ 95°C、 保证支持-40的18JinIndustrial plus等级°C≤ t酶≤ 105°C） 是的。

-25、25N、25I和25J级部件符合DDR2-800（5-5-5）或DDR2-800（6-6-6）规格（保证支持-40的25I工业级）°C≤ t酶≤ 95°C、 25JinIndustrial plus等级，保证支持-40°C≤ t酶≤ 105°C） .3级零件符合DDR2-667（5-5-5）规范。

所有的控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入锁存在差分时钟的交叉点（CLK上升和CLK下降）。所有I/O都以源同步方式与单端DQ或差分DQ DQ对同步。

特征
电源Supply:VDD，VDDQ=1.8伏±0.1伏
双数据速率体系结构：每个时钟周期两次数据传输
CAS延迟：3、4、5、6和7
突发长度：4和8
双向差分数据选通（dq和dq）
与数据一起发送/接收
边缘与读取数据对齐，中心与写入数据对齐
DLL将DQ和DQS转换与时钟对齐
差分时钟输入（CLK和CLK）
写入数据的数据掩码（DM）
在每个正CLK边、数据和数据掩码上输入的命令都引用到DQ的两个边
支持可编程的附加延迟，以提高命令和数据总线的效率
读取延迟=附加延迟加上CAS延迟（RL=AL+CL）
片外驱动器阻抗调整（OCD）和片上终端（ODT）以获得更好的信号质量
读写突发自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
预充电掉电和有功掉电
写入数据掩码
写入延迟=读取延迟-1（WL=RL-1）
接口：SSTL\ U 18
包装在WBGA84Ball（8x12.5mm2）中，使用符合RoHS的无铅材料

华邦flash，还有更多精彩华邦flash分享《华邦代理商W25Q64FWSSIG旧版本,可替代W25Q64JWSSIQ新版本》《华邦W25Q16JVSSIQ 新版本可代替 W25Q16DVSSIG 已停产》