SDRAM—W9812G6KH-6功能描述

1、华邦W9812G6KH-6总体描述：

64Mb SDRAM是一个高速CMOS，动态设计用于3.3V的随机存取存储器，可存储67,108,864位数据。每个16,777,216位的存储区被组织为4,096行  x  256列个存储单元，每个单元存储16位数据。

64Mb SDRAM包括一个自动刷新模式、省电和掉电模式。所有信号都是在时钟信号CLK的上升沿寄存。

所有输入和输出均兼容LVTTL。

64Mb SDRAM具有同步冲突的能力，突发结束时启动自定时行预充电。

在访问其中一个Bank时，为一个Bank预充电其他三个银行将隐藏预充电周期并提供无缝，高速，随机访问操作。

SDRAM读写访问是面向突发的，读写访问选定的位置并继续对选定位置下继续访问。读写访问前需要一个激活命令，然后是READ或WRITE命令，结束后启动预充电。可编程的READ或WRITE突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，带有突发终止选项。

2、大体工作过程：

通电时首先初始化SDRAM，其初始化过程包括：
（1）上电等待时钟稳定，DQM高，CKE高。
（2）200μs的延迟，期间除了No – Operation命令，其他命令不能有。在此期间至少有一个 No – Operation命令。
（3）200us后给出PRECHARGE命令。给所有Bank预充电，使所有Bank处于空闲状态。
（4）两个自动刷新操作。
（5）配置模式寄存器。

    初始化后，SDRAM就处于空闲状态，就可以对SDRAM进行其他操作，例如读操作，写操作，自动刷新操作。自动刷新操作从上篇文章中写到，每64ms刷新4096次，就是每64ms就对4096行存储单元刷新一次，防止数据丢失。读写操作前都必须有激活命令（ACTIVE），对确定的bank和确定的行进行激活，再进行读写操作，读写完需要预充电命令。W9812G6KH-6，华邦代理商，还有更多精彩华邦SDRAM分享《华邦代理商有哪些?》《华邦W25Q128FVSIQ旧版本替代W25Q128JVSIQ新版本》。