华邦推出 QspiNAND Flash W25N512GW 新功能提升 Qualcomm® 9205 平台应用竞争力

    到了2020年，物联网的规模将成长到500亿个连网装置，未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍，全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子推出拥有新功能的 QspiNAND Flash，是专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。华邦flash小编继续往下讲。

     华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash，并进军 QSPI-NAND Flash 领域，客户可根据自身需求，自由选择编码储存组件，以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚讯号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量，并采用 104MHz 读取速度的全新的 Continuous Read 功能，效能毫不减损。

    华邦W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装，以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存，数组分为 32,768 个可编程页面，每页面为 2,112 字节。华邦W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用单一读取指令高效存取整个内存数组，是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。

W25N512GW 已上市，1.8V QspiNAND Flash 特色如下:

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度
– 1.75V ~ 1.95V 供电
– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA
– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)
– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构
– 启用 ECC 时的页面读取时间：60μs
– 页面写入时间：250μs (标准值)
– 区块抹除时间：2ms (标准值)
– 快速编程/抹除的效能
– 支持 OTP 内存区域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash
– QSPI 实作采用 46nm 制程技术
– 数据保持 10 年以上
– 支持最高每秒 52MB 的数据传输率

 节省空间的封装
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)

    104MHz 的频率速度，可在使用快速读取 Dual/Quad I/O 指令时，达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片内建不良区块管理功能，让 NAND Flash 更容易管理。

    华邦flash，欢迎咨询华邦W25N512GW，还有更多华邦flash精彩文章分享《华邦W25Q16DWZPIG、W25Q16FWZPIG旧版替换新版W25Q16JWZPIQ》《华邦1Gb LPDDR3 DRAM追逐高速成长契机》