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华邦新功能 QspiNAND Flash
小编为大家介绍华邦推出新功能QspiNAND Flash ,以提升 Qualcomm® 9205 平台应用竞争力,也专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。
华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。
WebFeet Research 总裁 表示:到了2020年,物联网的规模将成长到500亿个连网装置,未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍,华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发,在全新的连网世界中茁壮成长,2023年之前出货量可望达到全球 6亿8,500万个装置。
华邦电子美国分公司闪存事业群营销部门总监表示:华邦很荣幸能全心投入创新及产品差异化,设计出 QspiNAND Flash KGD 解决方案,并获得 Qualcomm Technologies 采用在 Qualcomm 9205 LTE 主控芯片中。我们会持续与 Qualcomm Technologies 密切合作开发内存组件,打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 调制解调器解决方案。
华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash,并进军 QSPI-NAND Flash 领域,客户可根据自身需求,自由选择编码储存组件,以低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚讯号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量,并采用 104MHz 读取速度的全新的 Continuous Read 功能,效能毫不减损。
Qualcomm Europe Inc. 产品管理副总裁表示:Qualcomm Technologies 已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证,目前以堆栈 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 调制解调器,让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系,期望双方能继续共同提供的 IoT 技术解决方案。
W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装,以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存,数组分为 32,768 个可编程页面,每页面为 2,112 字节。
华邦W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式,可利用单一读取指令存取整个内存数组,是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。104MHz 的频率速度,可在使用快速读取 Dual/Quad I/O 指令时,达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片内建不良区块管理功能,让 NAND Flash 更容易管理。
为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求,华邦 QspiNAND Flash 在台湾台中的 12 吋晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能,以因应及确保支持汽车与 IoT 产业因全新业务带来的预期成长。
华邦闪存技术总监表示:SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 产品线后,有利于现有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 转换为 QspiNAND Flash。华邦与客户工程团队合作开发这款全新的 512Mb QspiNAND Flash,在符合成本效益的设计原则下,同样提供优异的效能。
1.8V QspiNAND Flash 特色如下:
低功率且涵盖不同使用场景的工作温度
– 1.75V ~ 1.95V 供电
– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA
– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)
– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)
独特的内存架构
– 启用 ECC 时的页面读取时间:60μs
– 页面写入时间:250μs (标准值)
– 区块抹除时间:2ms (标准值)
– 快速编程/抹除的效能
– 支持 OTP 内存区域
能高可靠性的 QspiNAND Flash
– QSPI 实作采用 46nm 制程技术
– 数据保持 10 年以上
– 支持高每秒 52MB 的数据传输率
节省空间的封装
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)
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