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新唐N76E003AT20替代意法STM8S003F3P6技术指标对比

来源：翊杰芯片代理商作者：小鑫发布时间：2020-06-17 11:13:01

因为新唐N76E003和意法STM8S003可以替代，只比较这2个片子；新唐N76E003跟STM8S003相比起来各有千秋，Flash大小方面来说,18K，比STM8S003大多了，Demo程序也很全。新唐N76E003AT20能否替代意法STM8S003F3P6技术指标对比，翊杰小编接着往下讲。

意法STM8S003F3P6：一共20个脚,可支持16个GPIO,支持16个外部中断；2个16位定时器[TIM1/TIM2],可以输出3路PWM信号；5个ADC通道,支持SPI/I2C/UART；8KBYTE FLASH,1K RAM,128 BYTE EEPROM；还有内置16M 高速振荡器，WDG等等。

N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。

新唐N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位；周边包含双串口、SPI、I²C、6通道PWM输出；内建优于同类产品之 < 2% 误差之高精确度16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC；并具备自我唤醒、欠压检测等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装，兼具高性能与设计弹性。

单从器件的性能上来看：新唐N76E003AT20相比之下更具备经典的优势，我们用图表来分析看看。

品牌	NUVOTON(新唐)	ST(意法半导体)
器件内核	8位1T/8051	8位STM8
完整型号	N76E003AT20	STM8S003F3P6
主频	1 6MHz	1 6MHz
封装形式	TSSOP20	TSSOP20
工作温度	_40C至+105C	_40C至+85C
工作电压	2.4V至5.5V	295V至5.5V
休眠电流(典型值)	小于5μA	5μA
工作电流(典型值)	μA	230μA
闪存空间	18K Bytes	8K Bytes(100次擦写)
RAM	256 Bytes+768 Bytes	1 K Bytes
EEROM	18K Bytes闪存都可以使用	128 Bytes _
VO数量	17个+1个输入口	16个
PWM	6路16bit	3路1 6bit
TIMER	3x1 6bit+1x1 6bit(for PWM)	2x1 6bit+ 1x8bit
ADC .	8路12bit.400kHz	5路10bit 428kHz/1 4clocks
UART数量	2 CHs	1 CH
SP数量	1(8Mbit/s)	1(8Mbit/s)
FC数量	1(400Kbit/s)	1(400Kbit/s)
高速内部RC	16MHz+1% @25C/1 6MHz+2% @ 40至+105C	16MHz+1.5% @25C至+85C
低速内部RC	10kHz低速内部RC	128kHz低速内部RC
ESD& EFT	HBM8KV MMI400V,Over 4KV	/
ICE	on-chip/two-wire	on-chip/single-wire(SWIM)
器件特点	超高性价比/优异的ESD和EFT抗干扰能力	广泛应用