华邦推出更能弹性使用的Sequential Read 华邦W25N系列

    华邦推出更能弹性使用的Sequential Read 华邦W25N系列，所谓的Sequential Read 是让 QspiNAND Flash 产品的读取速度达到每秒52MB，且使用者能自由应用自己偏好的 ECC编码及数据配置，小编接着继续介绍。

    全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子宣布在 QspiNAND Flash 系列产品中推出更具弹性的全新高速读取功能 – Sequential Read，持续坚守其在闪存领域中不断追求创新的理念。 越来越多汽车及 IoT 装置制造商采用 SLC NAND Flash 做为其取代传统 NOR Flash 在512Mb或更高容量的低成本替代解决方案。

    华邦先前已在 High Performance Quad SPI-NAND Flash 界面上有突破性创新，其Continuous Read 在104MHhz 频率频率下，传输速度可达每秒 52MB，且与 Quad SPI-NOR 一样有低脚位数的优点。华邦于 High Performance NAND Flash 上再创佳绩，在其W25NxxxJW QspiNAND Flash 上推出 Sequential Read 新功能。不仅维持QspiNAND Flash 在104MHz下每秒52MB的数据传输速度，且增加了许多在使用上的弹性。

    其中，重要的新增项目包括：可自由应用用户自有的ECC引擎。在 Continuous Read 中，华邦 W25N 系列仅支持本身芯片内建的1位 ECC 引擎。在 Sequential Read 中，用户可选择使用4位、8位或任何位的ECC错误修正。

    以单一读取指令存取整个内存数组，包括主区 (Main Area) 及备用区 (Spare Area)。这适合编码映像 (Code shadowing) 应用使用，因为低延迟及快速启动时间对这类应用特别重要。

    有更大的弹性可设定数据、纠错码、文件系统信息配置，以配合用户的应用场景。

    华邦电子美国分公司闪存事业群营销部门总监 表示：「华邦提供高速作业及 Continuous Read 功能，让 QspiNAND Flash 成为编码储存 (code storage) 应用的选项。」「现在加入 Sequential Read 后，使用者不但仍享有同样的每秒52MB高速读取，同时也能实作自己选择的ECC引擎及数据存取配置。」

    华邦1.8V QspiNAND Flash中的512Mb、1Gb及2Gb；3V QspiNAND Flash的2Gb及4Gb，都有导入新的Sequential Read功能。再者，所有QspiNAND Flash均于公司位在台湾台中市的12吋晶圆厂制造。为了满足汽车及 IoT 市场需求，华邦也持续扩展产能。

    新款华邦W25N QspiNAND Flash 采用体积精巧的8针脚封装；在华邦开发出 QspiNAND Flash 接口之前，SLC NAND Flash 无法提供这种节省空间的型态。104MHz的频率速度，可在使用快速读取 Quad I/O 指令时，达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。

华邦 W25N系列 NAND Flash 的主要特色如下：

涵盖不同使用场境的工作温度
– -40°C至+85°C作业范围 (工规级)
– -40°C至+105°C作业范围 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构
– 启用 ECC 时的页面读取时间：60μs
– 页面编程时间：250μs (标准值)
– 区块抹除时间：2ms (标准值)
– 快速编程/抹除的效能
– 支持OTP内存区域

– QSPI 实作采用 46nm 制程技术
– 数据保持 10 年以上
– 支持高可达到每秒 52MB 的数据传输率

节省空间的封装
– WSON8 6x8mm
– WSON8 5x6mm
– TFBGA24 6x8mm
– KGD (良裸晶粒)

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