华邦W25Q16JVSSIQ 新版本可代替 W25Q16DVSSIG 已停产

    华邦W25Q16JVSSIQ 新版本可代替 W25Q16DVSSIG 已停产，市面上W25Q16DVSSIG已经逐渐消失，新版本W25Q16JVSSIQ完美替代，小编来介绍一下。

    华邦W25Q16JVSSIQ（16M位）串行闪存为空间有限的系统提供存储解决方案，针脚和电源。25Q系列提供的灵活性和性能远远超出普通的串行闪存设备。它们非常适用于RAM的代码遮蔽，直接从Dual/QuadSPI（XIP）执行代码和存储语音，文字和数据。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，具有电流消断电时低至1μA。

    W25Q16JVSSIQ阵列分为8,192个可编程页面，每页256字节。多256个字节一次编程。页面可以以16个组（4KB扇区擦除），128个组（32KB）擦除块擦除），256个组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）。W25Q16JV有512可擦除扇区和32个可擦除块。小的4KB扇区允许更大的灵活性需要数据和参数存储的应用程序。（见图2）W25Q16JV支持标准串行外设接口（SPI）和高性能双/四路输出以及双/四通道I/OSPI：串行时钟，片选，串行数据I/O0（DI），I/O1（DO），I/O2和I/O3。支持高达133MHz的SPI时钟频率，允许266MHz的等效时钟速率（133MHzx2）用于双I/O和532MHz（133MHzx4）用于四路I/O时使用快速读取双/四路I/O指令。这些传输速率可以胜过标准的异步8和16位并行闪存回忆。

    此外，该器件还支持JEDEC标准制造商和器件ID以及SFDP寄存器，64-位序列号和三个256字节安全寄存器。

产品特征：

新系列SpiFlash内存W25Q16JVSSIQ
-W25Q16JV：16M位/2M字节（2,097,152）
-标准SPI：CLK，/CS，DI，DO
-双SPI：CLK，/CS，IO0，IO1
-四路SPI：CLK，/CS，IO0，IO1，IO2，IO3
-软件和硬件重置（1）

低功率，宽温度范围
-2.7V至3.6V单电源
--40°C至+85°C的工作范围
--40°C至+105°C的工作范围
-<1μA断电（典型值）

高性能的串行闪存
-133MHz单，双/四SPI时钟
-266/532MHz等效双/四SPI
-66MB/S连续数据传输速率
-分钟每个扇区100K程序擦除周期
-超过20年的数据保留

-使用8/16/32/64-ByteWrap连续读取
-只需8个时钟即可解决内存问题
-允许真正的XIP操作
-优于X16并行闪存

安全功能
-软件和硬件写保护
-电源锁定和
-特殊OTP保护（2）
-顶部/底部，补充阵列保护
-独立的块/扇区阵列保护
-每个设备的64位唯一ID
-可发现参数（SFDP）寄存器
-具有OTP锁的3X256字节安全寄存器
-易失性和非易失性状态寄存器位

灵活的架构，4KB扇区
-统一扇区/块擦除（4K/32K/64K字节）
-每个可编程页面编程1到256个字节
-删除/程序暂停和恢复

节省空间的包装
-8引脚SOIC150mil/208mil
-8-padUSON2X3mm/4x3-mm
-8-padXSON4x4-mm
-8-padWSON6x5-mm
-8球WLCSP

规格 存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH-NOR
存储容量 16Mb（2Mx8）
存储器接口 SPI-四I/O
时钟频率 133MHz
写周期时间-字，页 3ms
电压-电源 2.7V~3.6V
工作温度 -40°C~85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.209"，5.30mm宽）
供应商器件封装 8-SOIC

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