新唐N76E003AT20 pin to pin 完美替代STM8S003F3P6

    STM8S003F3（TSSOP20 ）价格上涨，不得不寻找替代型号，新唐N76E003AT20 pin to pin 完美替代STM8S003F3P6。翊杰小编来讲讲N76E003AT20和STM8S003F3P6技术指标对比。

    STM8S003F3P6一共20脚支持16个GPIO,支持16个外部中断；2个16位定时器[TIM1/TIM2],可以输出3路PWM信号；5个ADC通道,支持SPI/I2C/UART；8KBYTE FLASH,1K RAM,128 BYTE EEPROM；还有内置16M 高速振荡器，WDG等等。

    单从器件的性能上来看：新唐的N76E003AT20相比之下更具备经典的优势：

• 1T/8051 ：1T超值单片机，8051我们更熟悉的经典内核；
• 18KB Flash ROM：优于8KB Flash，而且18KB的闪存空间，全部都可以作为资料存储空间应用；
• 1024B SRAM ；
• 17个+1个输入口：优于支持16个GPIO；
• 2*UART, I2C ,SPI ：优于SPI/I2C/UART(多一个UART)；
• 8ch of 12bit ADC ：优于5通道10bit ADC ；
• 6ch of individual duty PWM ：优于3路PWM输出；
• 10KHz LIRC for WDT reset / WKT ；
• 16MHz HIRC ±1% Room temp. ±2% full condition；
• -40~105 ℃ 温度范围更宽；
• 2.4V至5.5V更宽的供电电压范围；
• TSSOP20 / QFN20；
• ESD＆EFT：HBM/8KV MM/400V,Over 4KV，优异的ESD和EFT，抗干扰和ESD防护能力；
•ADC Internal Band-gap ：做内部参考电压，ADC更精确（stm8s003f3没有adc内部参考电压）

    新唐N76E003为高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。

关键特性 :

内存 (Memory)
- 18 KB 应用程序 Flash
- 内嵌 1 KB SRAM
- 可配置的Data Flash
- 在线系统更新 ISP (In-System Programming)
- 在线电路更新 ICP (In-Circuit Programming)
- 在线应用程序更新 IAP (In-Application Programming)

内核(core)
- 1T 8051微处理器
- 工作频率可达 16 MHz
- 工作电压: 2.4V 至 5.5V
- 工作温度: -40℃ 至 105℃

脉波宽度调变 (PWM)
- 6通道PWM输出
- 带死区产生器

模拟转数字转换器(ADC)
- 12位8通道ADC
- 每秒转换速率可达500 kSPS

时钟控制(clock control)
-内置< 2% 误差16 MHz 高精度RC晶振
-内置低速省电10 kHz RC晶振

通讯接口 (Connectivity)
- 二组UART，可达115200 bps
- 一组SPI(可达8 MHz)
- 一组I²C(可达 400 kHz)

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