镁光DDR3是一种高速动态随机存取存储器，具有以下特点和改进 ：
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更高的数据传输率：DDR3内存的8bit预取设计，使得核心工作频率较低，例如DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，从而在较低的内核频率下实现更高的数据传输率。
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改进的地址/命令与控制总线拓扑架构：DDR3采用点对点的拓扑架构，减轻了地址/命令与控制总线的负担，提高了性能。
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降低能耗：DDR3的工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，进一步降低了能耗。
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异步重置与ZQ校准功能：DDR3增加了异步重置功能和ZQ校准功能，通过片上校准引擎（ODCE）自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
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逻辑Bank数量：DDR3起始的逻辑Bank数量为8个，为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
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封装：DDR3采用了新的封装方式，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，并且必须是绿色封装，不含有害物质。
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突发长度：DDR3的预取为8bit，突发传输周期（BL）固定为8。DDR3还增加了4-bit Burst Chop模式，通过A12地址线控制这一突发模式。
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寻址时序：DDR3内存的寻址时序进行了优化，以适应更高的性能要求。
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参考电压：DDR3将参考电压信号VREF分为两个信号，VREFCA为命令与地址信号服务，VREFDQ为数据总线服务，提高系统数据总线的信噪等级。
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自动自刷新：DDR3采用了根据温度自动自刷新的设计（ASR），通过内置温度传感器控制刷新频率，节省电力。
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局部自刷新：DDR3支持局部自刷新（RASR），只刷新部分逻辑Bank，减少电力消耗。
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点对点连接：DDR3系统中，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系，减轻了总线的负载。
DDR3内存在技术和性能上相较于DDR2有显著的提升，包括更高的数据传输率、更先进的地址/命令与控制总线架构、降低能耗等，这些改进使得DDR3内存更加适合高性能计算和数据密集型应用。
