因为新唐N76E003和意法STM8S003可以替代，只比较这2个片子；新唐N76E003跟STM8S003相比起来各有千秋，Flash大小方面来说,18K，比STM8S003大多了，Demo程序也很全。新唐N76E003AT20能否替代意法STM8S003F3P6技术指标对比，翊杰小编接着往下讲。
意法STM8S003F3P6：一共20个脚,可支持16个GPIO,支持16个外部中断；2个16位定时器[TIM1/TIM2],可以输出3路PWM信号；5个ADC通道,支持SPI/I2C/UART；8KBYTE FLASH,1K RAM,128 BYTE EEPROM；还有内置16M 高速振荡器，WDG等等。
N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度，并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。
新唐N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位；周边包含双串口、SPI、I²C、6通道PWM输出；内建优于同类产品之 < 2% 误差之高精确度16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC；并具备自我唤醒、欠压检测等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装，兼具高性能与设计弹性。
单从器件的性能上来看：新唐N76E003AT20相比之下更具备经典的优势，我们用图表来分析看看。
| 品牌 | NUVOTON(新唐) | ST(意法半导体) |
| 器件内核 | 8位1T/8051 | 8位STM8 |
| 完整型号 | N76E003AT20 | STM8S003F3P6 |
| 主频 | 1 6MHz | 1 6MHz |
| 封装形式 | TSSOP20 | TSSOP20 |
| 工作温度 | _40C至+105C | _40C至+85C |
| 工作电压 | 2.4V至5.5V | 295V至5.5V |
| 休眠电流(典型值) | 小于5μA | 5μA |
| 工作电流(典型值) | μA | 230μA |
| 闪存空间 | 18K Bytes | 8K Bytes(100次擦写) |
| RAM | 256 Bytes+768 Bytes | 1 K Bytes |
| EEROM | 18K Bytes闪存都可以使用 | 128 Bytes _ |
| VO数量 | 17个+1个输入口 | 16个 |
| PWM | 6路16bit | 3路1 6bit |
| TIMER | 3x1 6bit+1x1 6bit(for PWM) | 2x1 6bit+ 1x8bit |
| ADC . | 8路12bit.400kHz | 5路10bit 428kHz/1 4clocks |
| UART数量 | 2 CHs | 1 CH |
| SP数量 | 1(8Mbit/s) | 1(8Mbit/s) |
| FC数量 | 1(400Kbit/s) | 1(400Kbit/s) |
| 高速内部RC | 16MHz+1% @25C/1 6MHz+2% @ 40至+105C | 16MHz+1.5% @25C至+85C |
| 低速内部RC | 10kHz低速内部RC | 128kHz低速内部RC |
| ESD& EFT | HBM8KV MMI400V,Over 4KV | / |
| ICE | on-chip/two-wire | on-chip/single-wire(SWIM) |
| 器件特点 | 超高性价比/优异的ESD和EFT抗干扰能力 | 广泛应用 |
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