SOI-BSI NIR+ 是晶相光电的旗舰级像素技术，利用 FSI 和 SOI-BSI 的先进技术力量，不断进行创新，从而形成 SOI-BSI NIR+ 近红外加强 的像素架构。
SOI-BSI NIR+进一步完善了晶相光电颠覆性的像素架构和工艺，能获得前所未有的近红外（NIR）成像量子效率和质量更高的图像。
SOI-BSI NIR+ 近红外加强 像素技术可为在低光或无光环境中运行的应用提供新的可能性，同时降低总功耗。
SOI-BSI NIR+ 技术优点
SOI-BSI NIR+ 能够提供更高质量的图像捕捉和更大的检测范围，而且对光源功率的要求更低，从而可以使晶相光电图像传感器捕捉到更优质、更远的图像，同时延长电池寿命。
质量更高的图像
SOI-BSI NIR+ 技术的量子效率（QE）在850纳米处提升3倍，在940纳米处提升5倍，创造了新的行业记录，为广泛的机器视觉和夜视应用提供了更精确的图像数据捕捉和更多细节。晶相光电推出的多款图像传感器产品产品均采用了 SOI-BSI NIR+工艺技术。
更大的图像检测范围
采用 SOI-BSI NIR+ 的产品可实现更明亮的近红外（NIR）成像，从而增加检测监控距离，更快地检测物体，并为 AI 安全系统和操作人员提供更充足的反应时间。
更少的LED，更长的电池寿命
通过优化近红外灵敏度，SOI-BSI NIR+ 图像传感器所需的红外LED更少，从而使机器视觉设计人员能够延长电池寿命，打造出更紧凑的外形，同时降低系统成本。
SOI-BSI NIR+ 产品应用：安防 AI 相机，超星光夜视摄像头，打猎相机，行车记录仪，高端摄像头应，红外夜视仪
