华邦FlashW25Q64芯片介绍，其容量为64Mb。该25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。大小：8M（Byte）（128块（Block），每块64K字节，每块16个扇区（Sector），每个扇区4K字节，每个扇区16页，每页256个字节），W25Q64的小擦除单位为一个扇区，也是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W25Q64开辟一个至少4K的缓存区，这样必须要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。特点Flash芯片内的数据只能由1变0，不能由0变1。
W25Q64的擦写周期多达10W次，可将数据保存达20年之久，支持2.7~3.6V的电压，支持标准的SPI，还支持双输出/四输出的SPI，大SPI时钟可达80Mhz。
CS：CS为片选管脚，低电平有效。上电之后，在执行一条新的指令之前，必须让/CS管脚先有一个下降沿。
WP：WP为写保护管脚，有效电平为低电平。高电平可读可写，低电平仅仅可读。
DO（MISO）：DO为串行数据输出引脚，在CLK（串行时钟）管脚的下降沿输出数据。
CLK（SLCK）：CLK为串行时钟引脚。SPI时钟引脚，为输入输出提供时钟脉冲。
DI（MOSI）：DI为串行数据输入引脚，数据、地址和命令从DI引脚输入到芯片内部，在CLK（串行时钟）管脚的上升沿捕获捕获数据。
HOLD：HOLD为保持管脚，低电平有效。当CS为低电平，并且把HOLD拉低时，数据输出管脚将保持高阻态，并且会忽略数据输入管脚和时钟管脚上的信号。把HOLD管脚拉高，器件恢复正常工作。
VCC:电源2.7V~3.6V。
GND：地。
华邦W25Q64内部框架图：
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